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SMD ESD Protection Diode
Maximum Rating and Electrical Characteristics
(at T A =25°C unless otherwise noted)
Parameter
Conditions
Symbol Min Typ Max Unit
Forward voltage
Diode breakdown voltage
I F = 10mA
I R = 1mA
V F
V BD
6
0.8
V
V
C
C
Leakage current
Junction capacitance
ESD capability
Clamping voltage
Peak pulse power
Operation temperature
Storage temperature
V R = 5V
V R = 0V,f = 1MHz
IEC 61000-4-2(air)
IEC 61000-4-2(contact)
I PP = 5A,T P =8/20us
I PP = 16A,T P =8/20us
I L
C T
ESD
V C
P PP
T J
T STG
-55
0.3
90
2.0
120
20
15
9.8
12.5
200
125
150
uA
pF
kV
V
W
O
O
REV:A
QW-BP028
Comchip Technology CO., LTD.
Page 2
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